山东两种结构的不同取决于所使用的二氧化硅模板的粒径大小。
结果表明,济南B掺杂g-C3N4/SnS2的CO2还原活性优于g-C3N4/SnS2。图5g-C3N4、萃清g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2的吸收光谱图图6g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2及其相关结构的功函数图(a)g-C3N4的功函数图。
千0千图3g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2及其相关结构的能带图(a)g-C3N4的能带结构图。不同半导体表面聚集的光激发电子和空穴,伏变伏送有效地延长了光生载流子的寿命,提高了光催化能力。电站(b)B掺杂的g-C3N4/SnS2的Z-scheme光催化机理图。
出工程项(c)SnS2纳米片的示意图。目核(b)B掺杂g-C3N4的示意图。
准获(e)B掺杂g-C3N4/SnS2的顶视图。
山东(e)B掺杂g-C3N4/SnS2的能带结构图。济南(E)循环伏安法中的FYFeK-edgeXANES谱。
电催化剂的缺陷,萃清如掺杂、萃清空位、晶界等,有可能使反应物在催化剂表面具有特殊的吸附行为和化学活性,有望选择性地提高特定中间体和相应ECR途径的稳定性。千0千(E)相对电压时CO产量下的比电流密度(jCO)。
伏变伏送(G)F掺杂碳(FC)的DFT模型的俯视图和侧视图。电站(C)NCNT和CNT催化剂电催化CO2还原过程中CO的FE与施加的电池电势的相关性。